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사난IC, 650·1200V급 SiC 및 650V GaN 파운드리 서비스 본격화
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사난IC, 650·1200V급 SiC 및 650V GaN 파운드리 서비스 본격화
  • 김주연 기자
  • 승인 2020.04.27 17:14
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사난인터그레이티드서킷(Sanan IC) 직원들이 웨이퍼 테스트를 수행하고 있다./사난IC

사난인터그레이티드서킷(Sanan IC)은 650·1200V 실리콘카바이드(SiC) 기기와 650V 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 고전자이동도트랜지스터(HEMT)에 활용되는 자사의 와이드 밴드갭(WBG) 전력전자 파운드리 서비스를 본격화한다고 22일 밝혔다.

상위 스마트폰 제조사들이 GaN 솔루션을 채택하기 시작했고 빅데이터, 전기차(EV) 등 고전압 솔루션에는 SiC가 활용된다. 욜디벨롭먼트(Yole Dévelopement)에 따르면 전력 GaN 시장은 2017년에서 2023년까지 연평균 55%의 성장률을 기록할 것으로 예상된다. 

지난해 6월 사난은 JEDEC 표준 기반 650V 강화 모드 HEMT GaN 공정 기술에 부합하는 'G06P111'을 출시했다. 이후 GaN 공정용 다중 프로젝트 웨이퍼(MPW) 프로젝트를 여러 차례 진행했다. 사난의 프로세스 설계 키트와 e-Foundry 서비스를 이용해 설계자는 대량 생산 전에 최초로 올바른 설계를 보장하는 GaN 기기 설계 및 성능을 성취했다.

올해 이 회사는 200V와 100V 저전압 E-HEMT 공정, 대형 전류 설계, M3 공정 등 훨씬 광범위한 기술 선정을 위한 MPW를 제공하는 한편 연말에는 전력 포트폴리오에 추가될 예정인 GaN 집적회로(IC)와 신뢰성이 높은 D-모드 금속 절연체 반도체 전계효과 트랜지스터(D-MISFET) 등 추가 기술을 개발할 계획이다.

사난의 재조관리시스템은 IATF 16949:2016, ISO 9001:2015, ISO 27001:2013 등 국제적으로 인정받는 인증을 여러 차례 취득하였으며, 이 모두 정보 및 지적재산권 보호의 엄격한 보안절차에 대한 회사의 의지를 입증하고 있다. 또한 고객의 출시 시기를 앞당기기 위해 구리(Cu) 금속 공정, 백 그라인딩, 백 메탈 및 다이징, 회로 프로브 테스트, 오픈 리드 프레임을 사용한 표준 플라스틱 포장 등 초기 제품 개발을 위한 원스톱 서비스를 제공한다.

레이먼드 카이(Raymond Cai) 사난 최고경영자(CEO)는 “모기업인 사난옵토일렉트로닉스(Sanan Optoelectronics)가 방대한 복합 반도체 제조 경험을 갖고 있기 때문에 전력전자용 와이드 밴드갭 반도체 기술 라인 자체 구축을 시작하게 됐다”며 "사난은 고성장세에 있는 전력 시장을 대상으로 낮아진 진입 장벽과 대량 생산으로 서비스, 보안, 품질 관리와 결합한 제품 프로토 타이핑용 종합 플랫폼을 제공한다”고 덧붙였다.


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