지능형 전력 및 센싱 기술 전문 기업인 온세미는 업계 최고 수준의 성능으로 전도(conduction) 및 스위칭 손실을 최소화하는 새로운 초고효율 1200V 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistors, 이하 IGBT)를 21일 발표했다.

이 제품은 고속 스위칭 애플리케이션의 효율성을 향상시키기 위해 주로 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 에너지 저장 장치 및 전기차(EV) 충전 전력 변환과 같은 에너지 인프라 애플리케이션에 사용된다.

새로운 1200V 트렌치 필드 스톱(Trench Field Stop) VII(이하 FS7) IGBT는 고전압(부스트 스테이지)에 대한 입력을 증가시키며, 인버터는 높은 스위칭 주파수 에너지 인프라 애플리케이션에서 AC 출력을 제공한다. FS7 디바이스의 스위칭 손실이 낮기 때문에 더 높은 스위칭 주파수를 가능하게 한다. 따라서 자성 부품의 크기를 줄이고 전력 밀도를 높이며 시스템 비용을 절감할 수 있다. 고전력 에너지 인프라 애플리케이션의 경우, FS7 디바이스의 양의 온도 계수를 통해 병렬 작동이 가능하다.

FS7 디바이스에는 고속(S-시리즈) 및 중속(R-시리즈) 옵션이 포함된다. 모든 디바이스에는 낮은 VF, 조정된 스위칭 연성을 위한 최적화된 다이오드가 포함돼 있으며, 최대 175°C의 접합 온도(TJ)에서 작동할 수 있다. FGY75T120SWD와 같은 S-시리즈 디바이스는 현재 시장에서 사용 가능한 1200V IGBT 중에서 최고의 스위칭 성능을 제공한다.

매우 견고한 IGBT 플랫폼은 정격값의 최대 7배에 이르는 전류로 검증돼, 동급 최고의 래치업 내성을 제공한다. R-시리즈는 전도 손실이 지배적인 모터 제어, 솔리드 스테이트 릴레이와 같은 중속 스위칭 애플리케이션에 최적화돼 있다. FGY100T120RWD는 100A에서 1.45V로 낮은 VCESAT를 보여주는데, 이는 이전 세대의 디바이스보다 0.4V 향상됐다.

FS7 디바이스는 TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L을 비롯해 다양한 패키지 스타일과 베어 다이로 제공되어, 설계자에게 유연성과 설계 옵션을 제공한다.