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온 저항과 단락 파괴 시간을 동시에 잡았다
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온 저항과 단락 파괴 시간을 동시에 잡았다
  • 김주연 기자
  • 승인 2020.06.20 14:41
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로옴(ROHM)은 메인 인버터 등 자동차 파워 트레인 시스템 및 산업기기용 전원에 적합한 1200V 제4세대 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET)을 출시했다./로옴

로옴(ROHM)은 메인 인버터 등 자동차 파워 트레인 시스템 및 산업기기용 전원에 적합한 1200V 제4세대 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET)을 출시했다고 18일 밝혔다.

 

전력 반도체는 온(on) 저항을 줄이면 단락 시 파괴에 이르기까지 걸리는 시간(단락 내량 시간)이 짧아진다. 때문에 온 저항을 낮게 가져가면서도 단락 내량 시간을 동시에 확보하는 게 과제다.

로옴이 출시한 제4세대 SiC MOSFET은 더블 트렌츠 구조를 진화시켜 단락 내량 시간을 줄이지 않고도 기존 제품 대비 단위면적 당 온 저항을 약 40% 줄였다. 또 스위칭 시 기생 용량을 대폭 감소시켜, 기존품 대비 스위칭 손실이 절반에 불과하다. 

이 제품은 지난 6월부터 베어 칩의 샘플 제공을 시작했고 향후 디스크리트 패키지로 샘플을 제공할 예정이다.

로옴은 지난 2010년 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 개시했다. 또 일찍이 자동차기기 신뢰성 규격 AEC-Q101에 준거하는 제품 라인업을 강화해 차량용 충전기(OBC) 등에서 높은 시장 점유율을 획득했다. 이번에 온 저항과 단락 내량 시간의 트레이드 오프 관계를 동시에 개선한 제4세대 SiC MOSFET를 개발, 기존 시장과 더불어 메인 인버터를 중심으로 채용을 가속화시키고자 한다.

로옴 관계자는 "앞으로도 SiC 파워 디바이스의 라인업을 강화하면서 디바이스의 성능을 최대화시키는 제어 IC 등 주변 디바이스 및 모듈화 기술을 조합, 차세대 자동차의 기술 혁신에 기여해 나갈 것"이라며 "또 어플리케이션 개발 시의 공수 삭감 및 평가 트러블의 미연 방지에 기여하는 WEB 시뮬레이션 툴을 비롯, 고객의 과제를 해결할 수 있는 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 말했다.


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