화합물 반도체 전문기업 RFHIC(대표 조덕수)가 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 사업 확대를 위해 스웨덴의 질화갈륨 반도체 에피웨이퍼 개발업체인 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분투자를 결정했다고 5일 밝혔다.

RFHIC는 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분투자를 단행함으로써 해당 분야에서 경쟁력을 확보해 나가겠다는 계획이다.

스위겐(SweGaN)은 RF 및 전력반도체에서 최고의 성능을 갖는 6인치 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 에피웨이퍼를 개발하고 제조하는 기업이다. 특히 스위겐의 에피웨이퍼가 적용된 질화갈륨 반도체는 4GHz 이상의 초고주파 대역에서 전력 효율성이 높은 특성을 가지고 있으며 이러한 점이 RFHIC의 질화갈륨 웨이퍼 수급처 다변화에 도움이 될 것이라고 회사측은 설명했다.

에피웨이퍼 개발 및 제조 기술은 질화갈륨 반도체 성능의 약 50% 이상 영향을 주는 핵심 요소인 만큼 시장에서 요구하는 초고주파 대역에서의 고출력, 고효율의 제품 수요를 스위겐 제품을 통해 적극 대응할 수 있을 것이라 전했다.

RFHIC 관계자는 “양사의 기술 등을 접목시켜 기존 RFHIC의 무선통신 및 방위산업 제품들의 경쟁력도 한 단계 끌어올리는 등 상호 전략적 협력관계를 통해 상생할 수 있는 다양한 방안을 모색할 예정”이라고 강조했다.