반도체 장비업체 ACM리서치는 300㎜ 웨이퍼용 과산화황 혼합물 시스템(SPM) 장비를 출시했다고 30일 밝혔다. 이 장비는 첨단 메모리·비메모리 공정을 가리지 않고 습식 세정 및 식각 공정에 적용할 수 있다. 

특히 고용량 이온을 활용한 PR(포토레지스트) 제거 공정과 금속 식각·스트립 공정에 적합하다. 

데이비드 왕(David Wang) ACM리서치 CEO(최고경영자)는 “이번에 개발한 싱글SPM 장비는 기존 'Ultra C Tahoe' 장비를 기반으로 한다"며 "ACM리서치는 첨단 고온 이소프로필 알코올(IPA) 건조 및 초임계 이산화탄소 건조 기술을 포함한 새로운 공정 역량을 지속적으로 개발할 것“이라고 말했다.

SPM 습식 공정은 145°C 미만의 황산 및 과산화수소를 혼합하며 PR 제거 및 식각 후 세정 공정, 중간 용량의 이온 주입 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 후 세정 공정에 널리 사용된다. ACM리서치의 Ultra C Tahoe는 벤치 SPM과 싱글 웨이퍼 세정을 하나의 시스템에 통합했다. 

최근 반도체 노드가 10nm 이하로 확장됨에 따라 145°C이상 또는200°C 이상의 더 높은 온도를 사용해야 하는 SPM 공정 단계의 수가 증가하고 있다. 고용량 이온 주입 후 PR 제거, 건식 애시(dry ash) 공정을 사용하지 않는 습식 스트립 공정, 특수금속 필름 제거 공정은 모두 보다 고온 공정을 지원하는 SPM을 필요로 한다. 

데이비드 왕 CEO는 “ACM 리서치의 Tahoe 시스템이 대상으로 하는 황산 공정은 기존의 주류 온도이며 일반적인 싱글 웨이퍼 SPM 시스템과 비교하여 황산의 양을 크게 줄일 수 있으며 환경 친화적“이라고 설명했다.

ACM은 올해 이미 중국의 고객사에 이 시스템 2대를 납품했다. 한 곳은 40nm 이하의 로직 공정 연구 개발 회사이고, 다른 한곳은 메모리 공정 연구 개발 회사이다. 최근에는 중국 고객으로부터 새로운 싱글 SPM 장비에 대한 추가 주문을 받았으며 2022년 상반기 인도할 예정이다. 이러한 장비는 ACM 리서치의 독자적인 메가소닉 세척 기능을 탑재했으며 TSV(through-silicon via) 등 3D 구조의 세정에 사용할 수 있다.