삼성전자, 2030년까지 시스템 반도체에 133조원 투자
삼성전자, 2030년까지 시스템 반도체에 133조원 투자
  • 양대규 기자
  • 승인 2019.04.24 14:52
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2030년까지 R&D 73조원, 생산시설 60조원
화성 EUV라인∙신규 라인 등 파운드리 투자 지속 추진
국내 팹리스 고객에게 설계 자산(IP) 지원

[키뉴스 양대규 기자] 삼성전자가 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구개발과 생산시설 확충에 133조 원을 투자하고, 전문인력 1만 5000명을 채용한다고 24일 밝혔다. 삼성전자는 2030년까지 메모리 반도체 뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 '반도체 비전 2030'을 달성하기 위한 것이라고 설명했다.

또한, 삼성전자는 시스템 반도체 인프라와 기술력을 공유해 팹리스(Fabless, 반도체 설계 전문업체), 디자인하우스(Design House, 설계 서비스 기업) 등 국내 시스템 반도체 생태계의 경쟁력을 강화할 방침이다.

삼성전자는 시스템 반도체 사업경쟁력 강화를 위해 2030년까지 국내 R&D 분야에 73조 원, 최첨단 생산 인프라에 60조 원을 투자한다. R&D 투자금액이 73조 원 규모에 달해 국내 시스템 반도체 연구개발 인력 양성에 기여할 것으로 기대되며, 또한 생산시설 확충에도 60조 원이 투자돼 국내 설비/소재 업체를 포함한 시스템 반도체 생태계 발전에도 긍정적인 영향이 예상된다.

삼성전자는 화성캠퍼스 신규 EUV라인을 활용해 생산량을 증대하고, 국내 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획이다. 삼성전자는 또 기술경쟁력 강화를 위해서 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만 5000명을 채용할 계획이다. 최신 파운드리 생산시설인 화성캠퍼스 S3 라인에서 EUV 기반 최첨단 공정 제품을 생산하고 있으며, 현재 건설 중인 화성캠퍼스 EUV 전용 라인은 2020년부터 본격 가동된다.

삼성전자의 이 같은 계획이 실행되면 2030년까지 연평균 11조 원의 R&D와 시설투자가 집행되고, 생산량이 증가함에 따라 42만 명의 간접 고용유발 효과가 발생할 것으로 예상된다.

(사진=삼성전자)
(사진=삼성전자)

또한, 삼성전자는 국내 팹리스 업체를 지원하는 등 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체 산업생태계를 강화할 계획이다. 국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발기간도 단축할 수 있도록 인터페이스IP, 아날로그 IP, 시큐리티(Security) IP 등 삼성전자가 개발한IP(Intellectual Property, 설계자산)를 호혜적으로 지원한다. 또한, 보다 효과적으로 제품을 개발할 수 있도록 삼성전자가 개발한 설계/불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원할 계획이다.

소품종 대량생산 체제인 메모리 반도체와 달리 다품종 소량생산이 특징인 시스템 반도체 분야의 국내 중소 팹리스업체는 지금까지 수준 높은 파운드리 서비스를 활용하는데 어려움이 있었다. 삼성전자는 이러한 어려움을 해소하기 위해 반도체 위탁생산 물량 기준도 완화해, 국내 중소 팹리스업체의 소량제품 생산을 적극적으로 지원할 계획이다.또한, 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그램을 공정당 년 2~3회로 확대 운영한다. MPW는 한 장의 웨이퍼에 여러 종류의 반도체 제품을 생산하는 기술이다. 삼성전자는 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대해 나갈 계획이다.

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