램리서치(NASDAQ: LRCX)는 10일 혁신적인 웨이퍼 제조 기술과 새로운 케미스트리 솔루션을 적용하여 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조의 개발을 지원하는 고선택비 식각 장비 제품군(Selective etch products)을 발표했다.

Argos®, Prevos™, Selis®의 세 가지 신제품으로 구성된 램리서치의 고선택비 식각 장비 포트폴리오는 첨단 로직 및 메모리 반도체 개발을 위한 설계 및 공정에 강력한 이점을 제공한다.

반도체 성능 및 효율성 향상을 위해 소자의 집적도를 높일 필요성이 더욱 높아지고 이에 맞춰 반도체 제조업체는 현재 3D 구조의 트랜지스터를 개발하고 있다. 이는 중요 막질을 변형하거나 손상시키지 않기 위해 초고도 선택비를 통한 정밀 식각과 등방성 식각을 요구하는 매우 복잡한 공정이다.

램리서치의 고선택비 식각 솔루션은 첨단 로직 구조인 나노시트 또는 나노와이어 형성을 지원하는 데 필요한 초고도 선택적 식각과 막질을 손상시키지 않는 기술을 제공한다. 반도체 제조 공정에서 집적도의 한계에 도달할 경우 평면 구조에서 3D 구조로의 혁신적 도약을 이룰 수 있도록 지원하는 핵심 기술이다.

전 세계에서 가장 혁신적인 로직 및 파운드리 반도체 제조업체와 협력하여 개발한 램리서치의 고선택비 식각 기술은 이미 삼성전자와 같은 업계를 선도하는 기업의 첨단 로직 웨이퍼 개발 프로세스의 거의 12가지 주요 단계에서 사용중이다. 삼성 반도체연구소의 배근희 마스터는 “디바이스의 직접도와 복잡성이 크게 증가함에 따라, 선택적 식각 기술은 최첨단 로직 디바이스 기술을 제조하는 데 매우 중요한 요소"라며 "생산량 증대와 GAA 소자 및 그 이상의 로직 디바이스 로드맵 가속화를 위해서 선택적 식각의 광범위한 혁신과 역량이 필요하다"고 말했다. 

램리서치의 고선택비 식각 장비 포트폴리오는 다음과 같은 세 가지 새로운 장비로 구성되어 있다.  

우선 Agos는 혁신적인 MARS™(Metastable Activated Radical Source, 준안정 라디칼 소스) 기술을 탑재, 획기적인 웨이퍼 표면 처리 기술과 오염 제거 기술을 제공하여 최적화된 반도체 성능을 구현할 수 있다. Prevos는 빠른 온도 제어와 함께 새로운 식각 가스, 혁신적인 기화 기술은 산화막과 금속막을 원자층(atomic layer) 단위로 식각할 수 있는 초고도 선택비 식각을 가능하게 한다. Prevos는 램리서치가 독점 기술로 개발한 새로운 식각 가스를 활용하며, 반도체 제조업체의 생산 요구를 지원하기 위해 식각 가스를 추가할 수 있다. Selis는 고유의 라디칼과 고온 식각 기능을 채택하여 웨이퍼 표면 구조를 손상시키지 않고 상하 균일한 식각 기술을 제공하여 초고도 선택적 식각을 할 수 있다.