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온세미, 1200V 및 900V SiC MOSFET 제품군 내놔
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온세미, 1200V 및 900V SiC MOSFET 제품군 내놔
  • 김주연 기자
  • 승인 2020.03.11 17:43
  • 댓글 0
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온세미컨덕터 로고./온세미컨덕터

온세미컨덕터는 1200V 및 900V 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 제품군을 자사의 와이드밴드갭(WBG) 디바이스 라인업에 추가했다고 11일 밝혔다.

두 제품은 태양광 발전 인버터, 전기자동차(EV)를 위한 온-보드 충전, 무정전 서버 전원 공급장치(UPS), 서버 공급 장치, EV 충전소 등을 포함한 다양하고 요구조건이 까다로운 고성장 애플리케이션을 위해 고안됐다. 실리콘(Si) MOSFET으로는 불가능했던 수준의 성능을 제공한다.

온세미컨덕터의 새로운 1200V 및 900V N-채널 SiC MOSFET은 Si와 비교했을 때, 스위칭 성능을 높이고 신뢰성을 개선했다. 역회복 전하가 작은 고속의 내장 다이오드는 전력 손실을 크게 줄이고 동작 주파수를 높이며 전체 솔루션의 전력 밀도를 높였다.

칩 크기가 작을수록 소자 커패시턴스가 낮아지고 게이트 전하-Qg (220nC 정도로 낮음)가 작아져 고주파수 동작이 더욱 향상되어 고주파수에서 동작 할 때 스위칭 손실이 줄어든다. 이러한 개선으로 효율성이 향상되며 Si기반 MOSFET과 비교했을 때 전자파잡음(EMI)이 줄어든다. 수동소자도 더 적게 쓸 수 있다.

SiC MOSFET은 Si 디바이스와 비교했을 때 서지 능력이 향상되고, 아발란치 성능과 쇼트 서킷 견고성이 개선되며 까다로운 최신 전력 애플리케이션에 필수적인 높은 신뢰성과 더욱 긴 수명을 제공한다. 낮은 순방향 전압은 임계갑이 없는 온(on)상태 특성을 제공해 디바이스가 전도 중일 때 발생하는 정적 손실을 줄인다.

1200V 디바이스의 정격 최대 전류는 130A(ID 최대)이며, 900V 디바이스는 최대 118A이다. 더 높은 전류를 필요로 하는 애플리케이션의 경우, 양의 온도 계수 및 독립성으로 인해 온세미컨덕터 MOSFET은 쉽게 병렬로 동작 시킬 수 있다.

모든 온세미컨덕터의 SiC MOSFET은 납이나 할로겐이 들어가 있지 않으며, 자동차 애플리케이션용 디바이스는 AEC-Q100 인증과 PPAP를 지원한다. 모든 디바이스는 업계 표준인 TO-247 또는 D2PAK 패키지로 제공된다.

게리 스트레커(Gary Straker) 온세미컨덕터 파워 솔루션 그룹 파워 MOSFET 부서 부사장 겸 총괄은 “설계 엔지니어가 최신 재생 에너지, 자동차, IT 및 통신 애플리케이션에서 요구되는 까다로운 효율성 및 전력 밀도 목표를 충족하기 위해서는 높은 성능과 높은 신뢰성을 갖은 MOSFET 디바이스를 필요로 한다"며 "온세미컨덕터의 WBG SiC MOSFET은 저손실, 더 높은 동작 온도, 더 빠른 스위칭, EMI 개선 및 더 나은 신뢰성을 제공함으로써 Si 디바이스에서 가능했던 것 이상으로 성능을 높인다”고 말했다.


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